碳化硅強(qiáng)化微反應(yīng)器一般用于持續(xù)強(qiáng)化各組分混合使其達(dá)到更接近混勻均質(zhì)的狀態(tài)，在連續(xù)流反應(yīng)過程中持續(xù)促進(jìn)反應(yīng)；不論是均相還是非均相體系，通過微混沌結(jié)構(gòu)的打散混合再打散再混合的重復(fù)單元，實(shí)現(xiàn)各組分的充分的混合。具有廣泛的化學(xué)耐受性，耐高壓，既強(qiáng)化反應(yīng)的傳熱傳質(zhì)，又有較大的通量。
碳化硅是一種硅和碳結(jié)合的半導(dǎo)體材料，自然界幾乎沒有，要想得到碳化硅單晶，只能依靠人工合成。而且，不是所有的碳化硅晶體都能作為半導(dǎo)體材料，只有六方相中的4H-SiC、6H-SiC才可以用。碳化硅在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具有優(yōu)勢，與硅相比，碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料，其介電擊穿強(qiáng)度更大、飽和電子漂移速度更快，且熱導(dǎo)率更高。
碳化硅材料在半導(dǎo)體領(lǐng)域具有三個(gè)優(yōu)勢：
物理性能：碳化硅材料禁帶寬度大、飽和電子飄移速度高、存在高速二維電子氣，擊穿場強(qiáng)高。這些材料特性能夠賦予碳化硅器件與眾不同的性能。
器件特性：與硅材料相比，碳化硅器件耐高溫、耐高壓、頻率高、開關(guān)速度快、導(dǎo)通電阻低。這些器件特性都有助于實(shí)現(xiàn)更高效的電子電氣系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
系統(tǒng)成本：用碳化硅器件設(shè)計(jì)的系統(tǒng)體積小、重量輕、高能效、驅(qū)動(dòng)力強(qiáng)，有助于降低系統(tǒng)總成本。
功率器件作為電力電子裝置中的核心元件,其發(fā)展直接影響著電力電子學(xué)科的走向。每一代具有代表性的功率器件的問世都引起了電力電子學(xué)科的一次革命。功率器件的發(fā)展大致可以劃分為四個(gè)階段：半控型功率器件階段，單極型功率器件階段，雙極型功率器件階段，新材料功率器件階段。
